La litografía ultravioleta extrema (EUV) de China: Cómo Pekín intenta sortear el monopolio de ASML.

Dado que es imposible obtener equipos EUV, la empresa china SMIC tuvo que encontrar otra solución y mejorar gradualmente su tecnología de proceso de 7 nm utilizando sus equipos de litografía DUV existentes.
A finales de 2025, Huawei presentó oficialmente el chip Kirin 9030, y unos meses después, se utilizó en la serie Mate 80.
Recientemente, blogueros tecnológicos occidentales, tras recibir muestras, las diseccionaron y estudiaron la estructura del circuito bajo un microscopio electrónico para realizar un análisis comparativo detallado con las tecnologías de proceso de Intel y TSMC.
Según mediciones de SemiAnalysis y High Yield, el chip Kirin 9030, fabricado con la tecnología de proceso N+3 de SMIC, tiene un paso de metalización mínimo de 32,5 nm, un 10 % menor que el del procesador Panther Lake basado en la tecnología de proceso 18A de Intel (36 nm), también lanzado a finales de 2025, y también menor que el del chip N6 de segunda generación de TSMC que utiliza litografía EUV (TSMC implementó EUV en su tecnología de proceso N7+), que tiene un paso de metalización mínimo de 40 nm. Además, la densidad de transistores del Kirin 9030 (113,4 millones de transistores por milímetro cuadrado) también es superior a la del N6 de TSMC (107,7 millones de transistores por milímetro cuadrado).

Dado que la longitud de onda ultravioleta de la litografía DUV es de 193 nm, mientras que la EUV es de solo 13,5 nm, China tiene que utilizar tecnología de exposición múltiple para aumentar aún más la densidad de transistores.
La tecnología de proceso N+3 de SMIC incluso requiere el uso de litografía cuadrupolar autoalineada (SAQP), lo que inevitablemente conlleva dos inconvenientes: 1. Una disminución en el rendimiento de los chips, lo que resulta en mayores costos de producción; 2. Menor eficiencia energética por chip. Los medios tecnológicos occidentales a menudo afirman deliberadamente en sus informes que los fabricantes de chips chinos están pasando por alto estas métricas importantes, cuando en realidad, este es el precio inevitable de seguir aprovechando el potencial de la tecnología DUV existente.

Aunque los chips chinos sigan fabricándose exclusivamente con litografía DUV durante los próximos cinco años, aún tienen margen de mejora. Por ejemplo, los chips 18A de Intel utilizan tecnología de suministro de energía por la parte posterior, lo que mejora la eficiencia del área del chip y la eficiencia energética, mientras que SMIC aún no ha implementado esta tecnología. Es evidente que la tecnología de plegado lógico de Huawei y la Ley de Tao, propuesta este año, también contribuirán significativamente a mejorar la eficiencia de los chips en el futuro.
Sin embargo, cabe señalar que el potencial tecnológico de la litografía DUV está prácticamente agotado. Si China desea continuar desarrollando su industria de semiconductores y superar el bloqueo tecnológico occidental, la litografía EUV es el hito que debe superar. Entonces, ¿cuál es el estado del desarrollo de EUV en China? Antes de abordar este tema, es importante comprender que la investigación y el desarrollo de EUV verdaderamente serios en China comenzaron en 2022, cuando, por orden de la alta dirección, se reprimió la corrupción en el Fondo de Inversión en Semiconductores de Segunda Generación, lo que condujo al arresto de más de 100 personas. El denunciante fue Wang Mengyuan, autor de un artículo que traduje anteriormente. Cómo debería un estado socialista gestionar el capitalPosteriormente, Huawei estableció varias filiales en Shenzhen, encargándose del desarrollo de chips en nombre del gobierno. Tan solo dos años después, en 2024, se recibió información suficiente para confirmar que la litografía EUV china se lanzaría comercialmente a finales de 2026 o principios de 2027.

En marzo de 2025, el laboratorio de Huawei en Dongguan presentó un interferómetro para alinear la lente de una litografía EUV.
Se confirmó que Huawei optó por el proceso LDP para el desarrollo de la litografía EUV, en lugar de la tecnología LPP utilizada por ASML.

En julio de 2026, se presentó oficialmente en Shenzhen el primer prototipo de litografía EUV de China, que generó luz UV de 13,5 nm por primera vez. Según se informa, la potencia de salida es de tan solo 100-150 W, todavía por debajo de los 300 W típicos de las litografías EUV de ASML. Habrá que esperar seis meses más para comprobar si este prototipo puede convertirse en una máquina comercial.
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